2.3.6　磁畴壁的种类和单磁畴的磁化曲线

——磁畴壁有Bloch壁和Neel壁之分

理论和实验都证明，在两个相邻畴壁之间的原子层的自旋取向由于交换作用的缘故，不可能发生突变的情况，而是逐渐地发生变化，从而形成一个有一定厚度的过渡层，这个过渡层被称为畴壁。

按畴壁两边磁化矢量的夹角来分类，可以把畴壁分为180°畴壁和90°畴壁两种类型。在具有单轴各向异性的理想晶体中，只有180°畴壁。在K＞0的理想立方晶体中有180°畴壁和90°畴壁两种类型。在K＜0的理想立方晶体中除180°畴壁外，还可能有109°畴壁和71°畴壁，实际晶体中，由于不均匀性，情况要复杂得多，但在理论上仍常以180°畴壁和90°畴壁为例进行讨论。

在大块晶体中，当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁畴内的方向时，转动的仅仅是平行于畴壁的分量，垂直于畴壁的分量保持不变。这样就避免了在磁畴的两侧产生“磁荷”，防止了退磁能的产生。这种结构的磁畴称为Bloch壁[图2-20（a）]。

图2-20　磁畴壁的种类

畴壁内原子自旋取向变化的方式除去Bloch方式外，还在薄膜样品中发现了另一种Neel壁的变化形式[图2-20（b）]。前者壁内自旋取向始终平行于畴壁面的转向，多发生在大块材料中，后者壁内的自旋取向始终平行于薄膜表面转向，在畴壁面内产生了磁荷和退磁能，但在表面没有了退磁场。

作为极端情况 ，图2-21表示单磁畴微粒的磁化曲线。当沿易磁化轴方向施加磁导场播时，磁化曲线变为矩形，而沿垂直于易磁化轴方向施工磁磁场时，磁化曲线变为一条直线。

图2-21　单磁畴微粒的磁化曲线